Компьютерная графика. МУРМАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ. Мурманск. МГТУ. Методические указания для самостоятельной работы студентов (курсантов). Примеры оформления в автокаде (Autocad) здесь

ФГОУ ВПО МГТУ. ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО РЫБОЛОВСТВУ. Методические указания для самостоятельной работы студентов (курсантов). По дисциплине: Компьютерная графика
 
 

1. Вычертить форматный лист A3 с основной надписью по форме Ф1, сохранить данный лист как шаблон A3.dwt. 2. Преобразовать форматный лист A3 в А4, сохранить данный лист как шаблон A4.dwt. 3. Открыть файл шаблона A4.dwt. Вычертить один вид геометрической фигуры. Проставить размеры

4. Заполнить основную надпись. Оформить чертеж детали, сохранить файл, назвав его x.dwg. (где «х» - название фигуры). Варианты задания №1
 
 
 
 
 
 

1. Открыть файл шаблона A4.dwt или А3. Вычертить один вид геометрической фигуры. Проставить размеры. 2. Заполнить основную надпись. Оформить чертеж детали, сохранить файл, назвав его x.dwg. (где «х» - название фигуры)
 
 

1. Открыть файл шаблона A4.dwt. Построить аксонометрическую проекцию детали, используя команду «простая изометрия». Размеры не проставлять. 2. Заполнить основную надпись. Оформить чертеж детали, сохранить файл, назвав его y.dwg. (где «у» - название детали)
 
 

Номер варианта выбирается по сумме двух последних цифр зачетной книжки (студенческого билета). Например, СЭУ-06125: 2+5=7, выбираем 7 вариант. Если заканчивается № на 00, то выбираем вариант по сумме последних трех цифр, например, СЭУ-06100: 1+0+0=1
 
 

1. Открыть файл шаблона A4.dwt или A3.dwt. Создать слои, называя их: 1-й по имени заданной детали (в нем в дальнейшем строятся изображения детали), 2-й - «связь» (для вычерчивания линий проекционной связи, после завершения чертежа данный слой отключить), 3-й - «размеры» (для простановки размеров);

каждому слою задать свой цвет. 2. Построить два вида детали и построить разрез (ломаный), при этом применить пользовательскую систему координат для удобства построения наклонных элементов детали. 3. Заполнить основную надпись. Оформить чертеж детали, сохранить файл, назвав его y.dwg. (где «у» - название детали)

1. На формате А4 вычертить схему по варианту задания, при этом все элементы схемы должны быть представлены в виде блоков. 2. Составить перечень элементов. 3. Заполнить основную надпись. Оформить схему, сохранить файл, назвав его y.dwg. (где «у» - название схемы)
 
 

1. Вычертить титульный лист. Варианты заданий КР № 2 выбираются по таблице, приведенной в КР № 1. Изучение дисциплины заканчивается зачетом. На зачете выполняются задания, аналогичные заданиям контрольной работы
 
 
 
 

1. Резистор МЛТ-0,5 180 Ом. 2. Резистор МЛТ-0,5 220 Ом. 3. Резистор МЛТ-0,5 180 Ом. 4. Транзистор КТ315. 5. Резистор СПО-3-0,5 10 кОм. 6. Диод Д223. 7. Транзистор КТ315. 8. Конденсатор К-50-6. 9. Транзистор КТ315. 10. Резистор МЛТ-0,5 620 Ом
 

1. Резистор МЛТ 120 Ом ±5 %. 2. Транзистор МП38. 3. Транзистор П214. 4. Резистор МЛТ 750 Ом ±5 %. 5. Транзистор МП42. 6. Резистор МЛТ 430 Ом ±5 %. 7. Резистор МЛТ 820 Ом ±5 %. 8. Резистор СПО-1-470 Ом ±20 %. 9. Резистор МЛТ 430 Ом ±5 %. 10. Стабилитрон Д808. 11. Резистор МЛТ 430 Ом ±5 %

1,2. Резистор МЛТ-0,5 180 Ом. 3,10. Диод Д223. 4. Конденсатор К-20-7 300пФ. 5,7,8. Транзистор КТ 315. 6. Резистор МЛТ-0,5 3 кОм. 9. Конденсатор К-20-7 1000 пФ. 11. Резистор МЛТ-0,5 3,3 кОм
 
 
 
 

1,2. Резистор МЛТ 0,5 180 Ом. 3. Конденсатор К10-7В 1000 пФ. 4. Резистор МЛТ 0,5 100 Ом. 5. Резистор СП-3 10 кОм. 6,7. Транзистор МП25А. 8. Резистор МЛТ 0,5 10 Ом. 9. Диод Д223. 10. Резистор МЛТ 0,5 2,2 кОм
 
 
 

1. Резистор МЛТ-0,5 3 кОм. 2. Резистор МЛТ-0,5 180 Ом. 3. Резистор МЛТ-0,5 300 Ом. 4,8. Диод Д223. 5. Транзистор КТ315. 6. Транзистор КП303. 7. Транзистор КТ361. 9. Резистор МЛТ-0,5 10 кОм. 10. Резистор МЛТ-0,5 1,5 кОм
 
 

1. Резистор МЛТ-0,25-1 кОм. 2. Резистор МЛТ-0,25-680 Ом. 3. Резистор МЛТ-0,25-330 Ом. 4. Конденсатор КМ-0,1 мкФ. 5. Транзистор КТ315В. 6,9. Транзистор КП303. 7. Резистор МЛТ-0,25-5,6 кОм. 8. Диод Д220А. 10. Резистор МЛТ-0,25-10 кОм. 11. Резистор МЛТ-0,25-2,2 кОм. 12. Диод Д220А

1. Резистор МЛТ-0,5-5,6 кОм ±10 %. 2. Резистор МЛТ-0,5-3,6 кОм ±5 %. 3. Диод КД209Б. 4. Реле РЭС22. 5,12. Переключатель ПК-2. 6,10. Стабилитрон Д814В. 7,11. Транзистор КТ315Б. 8. Резистор МЛТ-0,5-3 кОм ±10 %. 9. Конденсатор К50-6-16В-200 мкФ ±20 %
 
 

2. Резистор МЛТ 25 кОм ±5 %. 1,6. Резистор МЛТ 510 Ом ±5 %. 3. Резистор МЛТ 1,5 кОм ±5 %. 4. Конденсатор К50-1 пФ ±10 %. 7,9,13. Транзистор МП39. 8,10. Конденсатор К50-20 пФ ±10 %. 5. Резистор МЛТ 120 кОм ±5 %. 11. Резистор МЛТ 20 кОм ±5 %. 12,17. Резистор МЛТ 2,7 кОм ±5 %. 14. Резистор МЛТ 4,3 кОм ±5 %. 15. Конденсатор К50-150 пФ ±10 %. 16. Резистор МЛТ 6,8

1,4,11,15. Резистор МЛТ 3,9 кОм ±5 %. 2,3. Диод Д2Д. 5,6. Конденсатор К50-1000пФ ±10 %. 7,8. Резистор МЛТ 24 кОм ±5 %. 9,10. Транзистор МП39. 12,13,14. Диод Д2Д
 
 
 
 
 

1. Резистор МЛТ-5,1 кОм ±10 %. 2. Резистор МЛТ-62 кОм ±10 %. 3,5. Резистор МЛТ-51 кОм ±10 %. 4.Конденсатор БМ-2-160В-400пФ ±20 %. 6. Транзистор МП39. 7. Транзистор МП41А. 8. Конденсатор БМ-2-160В-1000пФ ±20 %. 9. Резистор МЛТ-180 кОм ±10 %
 

1. Резистор МЛТ 150 кОм ±5 %. 2. Резистор МЛТ 15 кОм ±5 %. 3. Резистор МЛТ 360 кОм ±5 %. 4. Диод Д2Е. 5. Конденсатор К50-1000пФ ±10 %. 6. Транзистор П402. 7. Резистор МЛТ 7,5 кОм ±5 %. 8. Резистор МЛТ 820 кОм ±5 %. 9. Резистор МЛТ 10 кОм ±5 %
 
 

1. Резистор МЛТ-1,5 кОм ±10 %. 2. Диод Д9Ж. 3. Резистор МЛТ-12 кОм ±10 %. 4. Конденсатор МБМ-160В-6200 пФ ±10 %. 5. Катушка без сердечника Д 0,1-240 мкГн ±5 %. 6. Конденсатор БМ-2-160В-0,05 мкФ ±20 %. 7. Транзистор МП40А. 8. Конденсатор МБМ-160В-1 мкФ ±10 %. 9. Резистор МЛТ-27 кОм ±10 %. 10. Транзистор МП114. 11. Резистор МЛТ-750 кОм ±10 %. 12. Резистор МЛТ-5 кОм ±10